|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1925002 Herst.-Nr.:
STF18N60M6 EAN/GTIN:
5059045394075 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 16,8 nC @ 10 V
Höhe = 16.4mm
Die neue M6-Technologie von MDmesh TM umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.Geringere Schaltverluste Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedriger Gate-Eingangswiderstand Zenerdioden-geschützt Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 16,8 nC @ 10 V | Höhe: | 16.4mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 13a, 1925002, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STF18N60M6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |