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| Artikel-Nr.: 3794E-1945750 Herst.-Nr.: FFSD0865B EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = DPAK Dauer-Durchlassstrom max. = 11.6A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Schottky Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = SiC-Schottky Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 577A
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.Hohe UIS, Stoßstrom und Avalanche Hohe Abzweigtemperatur Niedrige Vf Kein Qrr 49 mJ @ 25 °C. TJ = 175 °C. 1,41 V <100 nC Anwendungen PFC Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DPAK | Dauer-Durchlassstrom max.: | 11.6A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 577A |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd diode, d-pak diode, 1945750, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, FFSD0865B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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