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| Artikel-Nr.:
3794E-1952499 Herst.-Nr.:
FDMS4D5N08LC EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 116 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 113,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 5mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 116 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 113,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 1952499, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS4D5N08LC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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