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| Artikel-Nr.: 3794E-1952499 Herst.-Nr.: FDMS4D5N08LC EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 116 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PQFN8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 113,6 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 5mm Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 116 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 113,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 1952499, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS4D5N08LC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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