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| Artikel-Nr.:
3794E-1952508 Herst.-Nr.:
NVMJS1D5N04CLTWG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = LFPAK8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.15mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten LFPAK8-Gehäuse, Industriestandard PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | LFPAK8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, 1952508, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMJS1D5N04CLTWG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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