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| Artikel-Nr.:
3794E-1952512 Herst.-Nr.:
NVMYS3D3N06CLTWG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 133 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 4,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.25mm
Höhe = 1.15mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 133 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 100 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 4.25mm | Höhe: | 1.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1952512, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMYS3D3N06CLTWG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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