| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1952560 Herst.-Nr.: NVMFD6H852NLT1G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 31,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Verlustleistung max. = 3,2 W Transistor-Konfiguration = Dual Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 5.1mm Höhe = 1.05mm
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten NVMFD6H852NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 31,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Dual | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5.1mm | Höhe: | 1.05mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1952560, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFD6H852NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |