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| Artikel-Nr.:
3794E-1952670 Herst.-Nr.:
NVMFD6H840NLWFT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 74 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Dual
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 5.1mm
Höhe = 1.05mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Kompaktes Design Niedriger RDS (EIN) Minimiert Leitungsverluste Niedrige QG und Kapazität Minimiert Treiberverluste NVMFS5C410NLWF – Option mit benetzbaren Flanken Verbesserte optische Prüfung PPAP-fähig Anwendung Batterieverpolungsschutz Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 74 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Dual | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5.1mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1952670, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFD6H840NLWFT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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