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| Artikel-Nr.:
3794E-1952673 Herst.-Nr.:
NVMFSC0D9N04CL EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 316 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 166 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 5mm
Höhe = 0.95mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Kompaktes Design Niedriger RDS (EIN) Minimiert Leitungsverluste Niedrige QG und Kapazität Minimiert Treiberverluste NVMFS5C410NWF – Option mit benetzbaren Flanken Verbesserte optische Prüfung PPAP-fähig Anwendung Batterieverpolungsschutz Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 316 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 166 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5mm | Höhe: | 0.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1952673, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFSC0D9N04CL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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