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| Artikel-Nr.:
3794E-1952679 Herst.-Nr.:
STWA75N60DM6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Länge = 15.9mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Diese Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal sind Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh TM DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) * -Bereichs mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit Zenerdioden-geschützt Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 36 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 446 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Länge: | 15.9mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1952679, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STWA75N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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