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| Artikel-Nr.: 3794E-2006817 Herst.-Nr.: SIHP125N60EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A, 25 A. Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = EF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay SIHP125N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS) Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A, 25 A. | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | EF | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,125 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2006817, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP125N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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