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| Artikel-Nr.:
3794E-2006817 Herst.-Nr.:
SIHP125N60EF-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 16 A, 25 A.
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = EF
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay SIHP125N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A, 25 A. | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | EF | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,125 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2006817, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP125N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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