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| Artikel-Nr.: 3794E-2006850 Herst.-Nr.: SQS484CENW-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,011 Ω, 0,0095 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,011 Ω, 0,0095 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2006850, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS484CENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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