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| Artikel-Nr.: 3794E-2006868 Herst.-Nr.: SIHU6N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A, 5 A. Drain-Source-Spannung max. = 850 V Serie = E Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay sihuu6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität (Ziss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Lawinenenergie (UIS) Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,2 A, 5 A. | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Serie: | E | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,95 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 2006868, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHU6N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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