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STMicroelectronics SCTW35 SCTW35N65G2V N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 3-Pin HiP247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2010860
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCTW35N65G2V
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTW35
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
45 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
SCTW35
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,045 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2010860, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTW35N65G2V, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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