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| Artikel-Nr.:
3794E-2013370 Herst.-Nr.:
HIP2211FRTZ-T7A EAN/GTIN:
k.A. |
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| Logik-Typ = NMOS
Ausgangsstrom = 3400 mA
Versorgungsspannung = 18V
Pinanzahl = 10
Gehäusegröße = DFN
Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode 115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke Weitere Informationen: | | Logik-Typ: | NMOS | Ausgangsstrom: | 3400 mA | Versorgungsspannung: | 18V | Pinanzahl: | 10 | Gehäusegröße: | DFN |
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| Weitere Suchbegriffe: 2013370, Halbleiter, Stromversorgung, Gate-Treiber, Renesas Electronics, HIP2211FRTZT7A, Semiconductors, Power Management ICs, Gate Drivers |
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