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STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2014415
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCT20N120H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SiC MOSFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,203 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 239V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Serie:
SiC MOSFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,203 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
239V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 20a, smd transistor, stm mosfet, 2014415, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCT20N120H, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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