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| Artikel-Nr.: 3794E-2025495 Herst.-Nr.: STB33N60DM6 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = ST Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,115 Ω Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V Transistor-Werkstoff = SiC Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | ST | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,115 Ω | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Transistor-Werkstoff: | SiC |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2025495, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB33N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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