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| Artikel-Nr.:
3794E-2033432 Herst.-Nr.:
STD18N60M6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,23 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,23 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet dpak, smd transistor, stm mosfet, 2033432, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD18N60M6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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