STMicroelectronics E-Fuse STEF512GR N-Kanal Dual MOSFET 5 V, 12 V / 3 A; 4 A, 8-Pin TSOT23-8L

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A; 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 5 V, 12 V
Serie = E-Fuse
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,04 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 15V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Die integrierte duale elektronische STMicroelectronics Sicherung wurde entwickelt, um die Schaltkreise an ihrem Ausgang vor Überstrom- und Überspannungsereignissen zu schützen, in Anwendungen, die Hot-Swap-Betrieb und Einschaltstromregelung erfordern. Es bettet zwei unabhängige elektronische Sicherungen ein, eine für die 5-V-Schienen und eine für die 12-V-Schienen. Der Spannungsabfall von der Hauptversorgung zur Last ist im Normalbetrieb aufgrund des sehr niedrigen Einschaltwiderstands der integrierten Leistungs-FETs sehr niedrig. Der STEF512GR begrenzt den Ausgangsstrom auf den vordefinierten sicheren Wert, wenn eine Überlastung auftritt. Die Anlaufzeit kann vom Benutzer für jede e-Sicherung über zwei kleine Sanftanlaufkondensatoren eingestellt werden, die an die entsprechenden Stifte angeschlossen sind.Thermischer Schutz mit Verriegelung Abschaltung bei Unterspannung am Eingang SAS-Sperrstift mit TSOT23-8L-Gehäusetyp Präzise Ausgangsspannung über Spannungsklemme