|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2043946 Herst.-Nr.:
STGWA20HP65FB2 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der 650-V-IGBT der STMicroelectronics HB2-Serie stellt eine Weiterentwicklung der Advanced-eigenen Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Eine Diode, die nur zu Schutzzwecken verwendet wird, ist antiparallel zum IGBT verpackt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Co-Packaged-Schutzdiode Minimierter Endstrom Enge Parameterverteilung Niedriger Wärmewiderstand Positiver Temperaturkoeffizient Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 40 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2043946, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWA20HP65FB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |