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STMicroelectronics SCT10N120H SCT10N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     3794E-2043950
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCT10N120H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2043950
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SCT10N120H
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,52 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Serie:
SCT10N120H
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,52 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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