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| Artikel-Nr.: 3794E-2047200 Herst.-Nr.: SiR626ADP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 165 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = SiR626ADP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00175 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 165 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | SiR626ADP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00175 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2047200, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR626ADPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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