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| Artikel-Nr.:
3794E-2049959 Herst.-Nr.:
STN6N60M2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Serie = STN6N60M2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,25 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.Sehr geringe Gate-Ladung Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss) 100%ig auf Stoßentladung geprüft Zenerdioden-geschützt Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Serie: | STN6N60M2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,25 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 2049959, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STN6N60M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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