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| Artikel-Nr.: 3794E-2052425 Herst.-Nr.: NTMFS006N08MC EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Der 150-V-N-Kanal-MV-MOSFET der on Semiconductor Power Trench Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.Max. RDS(on) = 11,5 MOhm bei VGS beträgt 10 V, ID 35 A. Geringer Leitungsverlust Max. RDS(on) ist 13,2 MOhm bei VGS ist 8 V, ID ist 18 A. 50 % geringerer Qrr als andere Mosfet-Lieferanten Verringert Schaltgeräusche/elektromagnetische Störungen MSL1 robustes Gehäusedesign 100 % UIL-geprüft |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2052425, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS006N08MC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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