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| Artikel-Nr.:
3794E-2052506 Herst.-Nr.:
NTPF360N80S3Z EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = SUPERFET III
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-800-V-MOSFET ist für den primären Schalter des Flyback-Wandlers optimiert und ermöglicht dank seines optimierten Designs geringere Schaltverluste und Gehäusetemperatur ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Darüber hinaus verbessert die interne Zenerdiode die ESD-Fähigkeit erheblich. Diese neue Familie ermöglicht effizientere, kompaktere, kühlere und robustere Anwendungen aufgrund ihrer bemerkenswerten Leistung in Schaltnetzanwendungen wie Laptop-Adapter, Audio, Beleuchtung, ATX-Stromversorgung und industriellen Netzteilen.Der Dauerablassstrom beträgt 13 A Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 360 MOhm Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität 100%ig auf Stoßentladung geprüft Gehäusetyp ist TO-220F. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | SUPERFET III | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 360 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor diode, diode, mosfet 13a, 2052506, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTPF360N80S3Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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