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| Artikel-Nr.:
3794E-2068631 Herst.-Nr.:
STO67N60DM6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = STO67N60DM6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 59 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand 100%ig auf Stoßentladung geprüft Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiber-Quellstifts Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | STO67N60DM6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 59 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 25V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2068631, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STO67N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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