|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2069793 Herst.-Nr.:
TPH3R704PC,LQ(S EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 82 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = TPH3R704PC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle: 2,9 m? Lagertemperatur: -55 bis 175 °C. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 82 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | TPH3R704PC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2069793, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPH3R704PC,LQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |