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Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2074970
Hersteller:
     Mitsubishi
Herst.-Nr.:
     CM450DY-24T #300G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module mitsubishi
Dauer-Kollektorstrom max. = 450
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
450
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Anzahl an Transistoren:
2
Gehäusegröße:
Modul
Montage-Typ:
PCB-Montage
Channel-Typ:
N
Transistor-Konfiguration:
Zweifach-Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2074970, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM450DY24T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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