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| Artikel-Nr.:
3794E-2104948 Herst.-Nr.:
SKM100GAL12T4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 1
Konfiguration = Single
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Einfach
Das schnelle IGBT 4-Modul SEMIKRON semitrans 2-Gehäuse gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie Hybrid- oder Elektrofahrzeuge, elektronische Schweißgeräte mit Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, DC/DC-Wandler, Brems-Chopper und Schaltabwärtsmotor sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 160 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Konfiguration: | Single | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: 2104948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM100GAL12T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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