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| Artikel-Nr.: 3794E-2105005 Herst.-Nr.: SiR826LDP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00415 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 86 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00415 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2105005, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR826LDPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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