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| Artikel-Nr.: 3794E-2105007 Herst.-Nr.: SiR882BDP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 67,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0069 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 67,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0069 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2105007, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR882BDPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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