| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2105016 Herst.-Nr.: SiSS52DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00095 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 162 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00095 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2105016, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSS52DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |