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| Artikel-Nr.:
3794E-2105020 Herst.-Nr.:
SiSS78LDN-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 70 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0048 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der N-Kanal 70-V-MOSFET (D-S) von Vishay verfügt über das PowerPAK 1212-8S-Gehäuse.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 66,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0048 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2105020, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSS78LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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