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| Artikel-Nr.:
3794E-2105021 Herst.-Nr.:
SQ2318BES-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,021 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,021 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5 → 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2105021, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2318BEST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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