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| Artikel-Nr.:
3794E-2105060 Herst.-Nr.:
SQJQ148E-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 375 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 l
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0013 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET verfügt über ein 8 x 8-l-PowerPAK-Gehäuse mit 375 A Ableitstrom.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV AEC-Q101-qualifiziert 100 % Rg- und UIS-geprüft Dünnes 1,6-mm-Gehäuse Sehr niedriger Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 375 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 8 x 8 l | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0013 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2 → 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2105060, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJQ148ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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