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| Artikel-Nr.: 3794E-2144390 Herst.-Nr.: IPD70N12S311ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Serie = OptiMOS™-T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0111 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Serie: | OptiMOS™-T | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0111 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 2144390, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD70N12S311ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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