|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2144416 Herst.-Nr.:
IPP60R180P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.Er verfügt über eine robuste Gehäusediode Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,18 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2144416, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R180P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |