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Infineon StrongIRFET IRF100P219XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 304 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2144439
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF100P219XKMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 304 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = StrongIRFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0017 Ω
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Dieser starke IRFET-MOSFET von Infineon ist ideal für hohe Schaltfrequenz und hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit.Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
304 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
StrongIRFET
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0017 Ω
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2144439, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF100P219XKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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