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| Artikel-Nr.:
3794E-2144476 Herst.-Nr.:
SN7002NH6327XTSA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diese Infineon SIPMOS Kleinsignal-MOSFETist ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie und/oder anderen Bereichen geeignet. Sie sind in fast allen Anwendungen zu finden, z. B. Batterieschutz, Batterie Batterie laden, LED-Beleuchtung usw.Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | SIPMOS® | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2144476, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SN7002NH6327XTSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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