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| Artikel-Nr.:
3794E-2148785 Herst.-Nr.:
AFGY100T65SPD EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 660 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.Enge Parameterverteilung Hohe Eingangsimpedanz Kurzschluss-Robustheit Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 660 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2148785, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, AFGY100T65SPD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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