|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2148950 Herst.-Nr.:
AUIRF7675M2TR EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,056 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Packing-Plattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen. Diese Eigenschaften machen diesen MOSFET zu einer äußerst wünschenswerten Komponente in Kfz-Klasse-D-Audioverstärkersystemen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,056 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2148950, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF7675M2TR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |