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| Artikel-Nr.:
3794E-2148975 Herst.-Nr.:
BSC0502NSIATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0023 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.Monolithische integrierte Schottky-Diode Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler 100%ig auf Stoßentladung geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0023 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 2148975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC0502NSIATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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