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| Artikel-Nr.:
3794E-2149123 Herst.-Nr.:
IRF40SC240ARMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = StrongIRFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00065 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die neuesten 40-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie. Er bietet Entwurfsflexibilität mit Industriestandard-Verpackung. Er ist in der Lage, Störfestigkeit gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen zu bieten.Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Hohe Strombelastbarkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 360 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | StrongIRFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00065 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2149123, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF40SC240ARMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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