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| Artikel-Nr.:
3794E-2152448 Herst.-Nr.:
AUIRF7640S2TR EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,036 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit Bleifrei, RoHS- und halogenfrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 21 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,036 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2152448, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF7640S2TR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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