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| Artikel-Nr.:
3794E-2152482 Herst.-Nr.:
IPA65R125C7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Cool MOS TM C7 Super Junction MOSFET-Serie von Infineon ist ein revolutionärer Schritt in der Technologie und bietet das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ C7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,125 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 2152482, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA65R125C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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