| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2152539 Herst.-Nr.: IPP60R099P7XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolMOS™ P7 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,099 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,099 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2152539, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R099P7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |