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| Artikel-Nr.: 3794E-2152575 Herst.-Nr.: IRF300P226 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Serie = StrongIRFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,019 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Serie: | StrongIRFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,019 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 100a, 2152575, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF300P226, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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