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| Artikel-Nr.:
3794E-2152589 Herst.-Nr.:
IRF8910TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0134 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.55V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET hat eine maximale 20-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als zweifacher SO-8 MOSFET für POL-Wandler in Desktop-, Server-, Grafikkarten-, Spielkonsolen- und Set-Top-Box.Bleifrei Niedriger RDS (EIN) Besonders niedrige Gate-Impedanz Zweifacher N-Kanal-MOSFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0134 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.55V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet 10a, 2152589, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF8910TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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