| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2156617 Herst.-Nr.: AIKW40N65DF5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und hoher Geschwindigkeit der F5-Technologie von Infineon bietet einen erstklassigen Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 74 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156617, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIKW40N65DF5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |