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Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2156627
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGB15N60TATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 130 W
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
26 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
130 W
Gehäusegröße:
PG-TO263-3
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2156627, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB15N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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