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| Artikel-Nr.: 3794E-2156627 Herst.-Nr.: IGB15N60TATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 26 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 130 W | Gehäusegröße: | PG-TO263-3 | Pinanzahl: | 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2156627, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB15N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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