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| Artikel-Nr.: 3794E-2156651 Herst.-Nr.: IKB40N65EF5ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3
Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Bipolartransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit und isoliertem Gate mit einer schnellen und weichen antiparallelen Diode mit voller Nennstromstärke von Rapid 1.Hoher Wirkungsgrad Niedrige Schaltverluste Erhöhte Zuverlässigkeit Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 74 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO263-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2156651, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB40N65EF5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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